- Ошибки 9, 14, 40, 4013 на iPhone. Неисправность Nand-Flash.
- Что такое Nand Flash в iPhone?
- Не работает NAND flash память в iPhone
- Что говорит о неисправности NAND
- Замена на Айфоне NAND flash
- Программирование NAND FLASH
- CОДЕРЖАНИЕ:
- 1. ТЕОРИЯ
- 1.1. Отличие микросхем NAND FLASH от обычных микросхем
- 1.2. Разновидности микросхем NAND FLASH
- 1.3. Организация микросхем NAND FLASH
- 1.4. Способы использования запасной области страницы
- 1.5. Образ NAND и двоичный образ
- 1.6. Заводская маркировка плохих блоков
- 1.7. Управление плохими блоками
- 2. ПРАКТИКА
- 2.1. Сканирование плохих блоков микросхемы NAND
- 2.2. Плохие блоки в образе NAND
- 2.3.Стирание NAND
- 2.4. Тестирование микросхемы на отсутствие записи
- 2.5. Запись готового образа в микросхему
- Способ 1: игнорирование плохих блоков
- Способ 2: обход плохих блоков
- Способ 3: пропуск плохих блоков
- Способ 4: запись только гарантированно бессбойной области
- Другие способы управления плохими блоками
- Использование кодов, исправляющих ошибки (ECC)
- 2.6. Преобразование двоичного образа в образ NAND
- 2.7. Совместимость с образами NAND, считанными другими программаторами
Ошибки 9, 14, 40, 4013 на iPhone. Неисправность Nand-Flash.
Недавно к нам поступил аппарат с диагнозом «не включается». При восстановлении програмного обеспечения через iTunes выпадала ошибка 40, а это значит вышел из строя чип NAND flash.
Что такое Nand Flash в iPhone?
Nand Flash – это внутренняя память устройства.
Симптомы неисправности Flash памяти iPhone следующие:
- Аппарат перезагружается при включении;
- Устройство «виснет на яблоке» во время загрузки;
- Постоянно «слетает» прошивка;
- При попытке восстановления iOS через iTunes появляются различные ошибки.
Восстановление прошивки через iTunes — самый верный способ борьбы с различными неполадками в работе устройства.
Однако, если у iPhone существуют проблемы с Nand Flash памятью, то процесс восстановления может сопровождаться следующими характерными ошибками:
Некоторые причины неисправности:
- Падения устройства;
- Иные физические повреждения, например, изгиб приводит к потере связи чипа Nand с процессором;
- Попадание жидкости;
- Заводской брак (неточность пайки на заводе, выход микросхемы из строя).
Проблемы с памятью iPhone — это достаточно серьезная поломка, которую очень тяжело исправить самостоятельно. Главное — найти хороший сервисный центр с грамотными специалистами и необходимым оборудованием. На фото представлена поэтапная работа мастера нашего сервисного центра Remontti для iPhone 5S.
Друзья, если Вы столкнулись с подобной поломкой, ждем Вас в Remontti, чтобы предоставить качественные услуги по ремонту смартфонов. Наши адреса:
- Пр-кт Ленина 20 (цокольный этаж, режим работы с 11-19).
- ТРЦ Макси (1 этаж).
- ТРК Лотос Plaza (1 этаж).
Получить бесплатную консультацию по телефону 28-50-30
- Сервис-центр “Ремонтти”
г. Петрозаводск, пр-кт Ленина 20
- г. Петрозаводск, ТРЦ Макси Пн-Вс: 10:00 — 21:00 28-40-30 —>
- г. Петрозаводск, ТРК Лотос Plaza Пн-Вс: 10:00 — 22:00 28-50-30
- г. Петрозаводск, пр-кт Ленина 20 Пн-Вс: 11:00 — 19:00 28-25-30
Источник
Не работает NAND flash память в iPhone
Замена NAND iPhone бывает необходима в нескольких случаях. Кто-то желает просто увеличить запас памяти аппарата, а другие прибегают к услуге вынужденно. Что же это может быть? Ремонт требуется при повреждении NAND, и при этом проблема решается двумя основными способами:
- Менее дорогостоящий ремонт флеш памяти.
- Относительно дорогостоящая замена материнской платы.
Починка НАНД без замены материнской платы позволяет сэкономить денежные средства. Кроме того, пользователь может попросить специалиста об установке более объемного flash накопителя. И еще в некоторых случаях появляется рабочая ситуация, когда нужной разновидности материнской платы просто не оказывается в наличии, тогда как проблем с микросхемами памяти подобного рода не возникает никогда. Появляется другой вопрос: насколько окажется эффективной такая починка? В нашем сервисном центре квалифицированные мастера выполняют замену уже не один год, так что работа осуществляется на самом высоком профессиональном уровне, причем на любые услуги дается гарантия.
Что говорит о неисправности NAND
Неисправность у iPhone NAND памяти проявляется определенными признаками, которые достаточно быстро устанавливаются вне зависимости от предшествующих возникновению с памятью смартфона проблем. Если пользователь обнаружил любой из ниже перечисленных симптомов, значит, пришло время обратиться в специализированную мастерскую для более детального уточнения причин неисправности и квалифицированного ремонта.
Итак, flash бывает неисправна, когда:
- аппарат не включается и перезагружается самопроизвольно;
- происходит перезагрузка в постоянном режиме с интервалами в 3-5 минут;
- при включении устройство зависает на «яблочке»;
- ошибка 4013 при попытке восстановить в iTunes iOS.
- Надо заметить, что данная симптоматика нередко появляется после удара или падения устройства.
Нечто похожее случается и при попытке выполнить Jailbreak или обновить iOS. Таким образом, до осмотра мастером вряд ли стоит делать преждевременные выводы о возможных неисправностях и предпринимать попытки самостоятельного ремонта. Самый оптимальный вариант – обратиться в ЭтоСервис, где быстро и качественно проведут диагностику и предложат конкретные ремонтные процедуры.
Замена на Айфоне NAND flash
Замена представляет сложный и продолжительный по времени процесс, который осуществляется опытным специалистом с использованием специализированного оборудования. Ремонт состоит в следующих основных этапах:
- Диагностика – инженер должен точно остановить, что неисправность именно в NAND памяти. Здесь учитываются ошибки 9, 40, 4013, 4014 и ряд других.
- Поиск внутренних механических повреждений устройства и признаков попадания влаги. Затем делается предварительная чистка либо ремонт.
- Извлечение и диагностика NAND памяти – выпаивается чип памяти с дальнейшим подключением к программатору. Определенным софтом происходит его чтение и проверка на возможные дефекты BAD секторов. Считываются с микросхемы такие данные, как SN, MAC WiFi, Board Id, MAC BT.
- На новый флеш накопитель записываются данные с поврежденного чипа.
- Диагностика чипа памяти – он монтируется к материнской плате, а затем производится прошивка Айфона с последующим тестированием. При корректной работе устройство успешно активируется.
- Полная сборка и тестирование – проводится повторная перепрошивка, после которой собранный аппарат тестируется.
В сервисном центре ЭтоСервис клиенты могут воспользоваться профессиональной услугой замены NAND памяти на следующих устройствах: iPhone 5s и 5, iPhone 6s и 6, 6s Plus и 6 Plus, iPhone 7 Plus и 7. При этом следует отметить, что в работе применяются исключительно оригинальные запасные части, и сервисный центр предоставляет гарантию. Чтобы убедиться в приемлемых расценках и качестве предоставляемых услуг, стоит побывать на бесплатной диагностике своего устройства.
Вы можете воспользоваться услугами нашего сервисного центра в городе Кирове по адресу: Октябрьский проспект, 70. Тел: +7 (8332) 772-987.
Источник
Программирование NAND FLASH
2017-05-25 Дата последнего изменения: 2021-02-28
В статье рассматриваются особенности применения микросхем NAND FLASH, методы разметки страниц и управления плохими блоками, даны рекомендации по программированию на программаторах ChipStar.
CОДЕРЖАНИЕ:
1. ТЕОРИЯ
1.1. Отличие микросхем NAND FLASH от обычных микросхем
Если не вникать в тонкости технологий, то отличие микросхем NAND от других микросхем памяти заключается в следующем:
- Микросхемы NAND имеют очень большой объем.
- Правильно записанная микросхема NAND может давать единичные ошибки при последующем чтении.
- Микросхемы NAND могут иметь плохие (сбойные) блоки.
- Размер страницы записи не является степенью 2.
- Запись в микросхему осуществляетсятолько страницами, стирание— минимум блоками.
Есть еще несколько отличий, но первые три особенности являются ключевыми. Больше всего проблем доставляет наличие ошибок и плохих блоков.
1.2. Разновидности микросхем NAND FLASH
Первоначально NAND FLASH были только одного типа: обычные (RAW) NAND. И на сегодняшний день эти микросхемы составляют большинство микросхем типа NAND. Однако производители микросхем, быстро начали расширять возможности применения NAND. Это стало приводить к появлению новых разновидностей NAND. Наиболее распространенные на сегодня разновидности NAND и их основные отличия сведены в таблицу:
| Класс микросхем NAND | Интерфейс | Исправление ошибок (ECC) | Управление плохими блоками | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RAW NAND (обычные NAND) | Паралельный / NAND | Выполняет внешнее устройство | Выполняет внешнее устройство | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| beNAND | Реализовано внутри микросхемы (*) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serial NAND / SPI NAND | SPI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OneNAND | Паралельный / FLASH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| eMMC | MMC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Название | Размер основной области | Размер запасной области | Общий размер страницы | Пример микросхемы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Toshiba TC58DVG02A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Большие страницы | 1.4. Способы использования запасной области страницыЕще раз напомним, что по замыслу разработчиков NAND микросхем в запасной области должны находится: маркеры плохих блоков, контрольные суммы основной области данных, прочая служебная информация. Большинство разработчиков описывает только место расположения маркеров плохих блоков в поставляемых микросхемах. По остальным аспектам использования запасной области даются общие рекомендации и алгоритм вычисления ЕСС, обычно по Хэмингу. Samsung идут несколько дальше, разработав рекомендации с названием » Запасная область флэш-памяти NAND. Стандарт назначения » («NAND Flash Spare Area. Assignment Standard», 27. April. 2005, Memory Division, Samsung Electronics Co., Ltd). Итак, этот стандарт предполагает следующее использование запасной области:
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
