Nand flash что это айфон

Ошибки 9, 14, 40, 4013 на iPhone. Неисправность Nand-Flash.

Недавно к нам поступил аппарат с диагнозом «не включается». При восстановлении програмного обеспечения через iTunes выпадала ошибка 40, а это значит вышел из строя чип NAND flash.

Что такое Nand Flash в iPhone?

Nand Flash – это внутренняя память устройства.

Симптомы неисправности Flash памяти iPhone следующие:

• Аппарат перезагружается при включении;
• Устройство «виснет на яблоке» во время загрузки;
• Постоянно «слетает» прошивка;
• При попытке восстановления iOS через iTunes появляются различные ошибки.

Восстановление прошивки через iTunes — самый верный способ борьбы с различными неполадками в работе устройства.

Однако, если у iPhone существуют проблемы с Nand Flash памятью, то процесс восстановления может сопровождаться следующими характерными ошибками:

Некоторые причины неисправности:

• Падения устройства;
• Иные физические повреждения, например, изгиб приводит к потере связи чипа Nand с процессором;
• Попадание жидкости;
• Заводской брак (неточность пайки на заводе, выход микросхемы из строя).

Проблемы с памятью iPhone — это достаточно серьезная поломка, которую очень тяжело исправить самостоятельно. Главное — найти хороший сервисный центр с грамотными специалистами и необходимым оборудованием. На фото представлена поэтапная работа мастера нашего сервисного центра Remontti для iPhone 5S.

Друзья, если Вы столкнулись с подобной поломкой, ждем Вас в Remontti, чтобы предоставить качественные услуги по ремонту смартфонов. Наши адреса:

• Пр-кт Ленина 20 (цокольный этаж, режим работы с 11-19).
• ТРЦ Макси (1 этаж).
• ТРК Лотос Plaza (1 этаж).

Получить бесплатную консультацию по телефону 28-50-30

Сервис-центр “Ремонтти”
г. Петрозаводск, пр-кт Ленина 20

г. Петрозаводск, ТРЦ Макси Пн-Вс: 10:00 — 21:00 28-40-30 —>
• г. Петрозаводск, ТРК Лотос Plaza Пн-Вс: 10:00 — 22:00 28-50-30
• г. Петрозаводск, пр-кт Ленина 20 Пн-Вс: 11:00 — 19:00 28-25-30

Источник

Как флэш-память в устройствах Apple совершит революцию

Ваш iPhone работает быстро? Ваш Mac не зависает и не «тормозит» при работе с ресурсоемкими приложениями? За несколько лет мы научились не задаваться этими вопросами и даже на обращать на них внимание, поскольку считаем, что устройства от Apple должны работать шустро и без нареканий. Но в действительности за всей этой мощью и производительностью стоят новейшие технологии, без которых «яблочные» гаджеты не были бы такими, какими мы их знаем.

Одна из таких технологий относится к SSD — твердотельным накопителям, которые сейчас Apple устанавливает практически во все свои компьютеры. В iPhone и iPad также используется флэш-память. Суть в том, что в SSD данные хранятся не на вращающихся дисках (как в случае с HDD — жесткими дисками), а с помощью флэш-памяти NAND.

NAND — настоящее чудо современного рынка памяти. Она хранит информацию в массиве ячеек памяти — транзисторах с плавающим затвором. Программирование ячейки происходит следующим образом: на управляющий затвор NAND подается напряжение, после чего электроны начинают движение вверх. Затем они преодолевают границу из оксида и достигают плавающего затвора. Когда же вы удаляете какие-либо данные, подается напряжение, электроны начинают обратное движение от плавающего затвора через оксид с помощью заземления управляющего затвора.

Типы NAND, в свою очередь, подразделяются на SLC, MLC, TLC — эти аббревиатуры обозначают количество бит в ячейке: один, два и три соответственно. MLC, к примеру, способна хранить в два раза больше информации, чем SLC.

Apple давно использует NAND в своих устройствах, и, казалось бы, можно все так и оставить, ведь нареканий к работе флэш-памяти нет. Но на самом деле есть одна проблема — выносливость. Слой оксида со временем уменьшается из-за активности электронов, и ячейки начинают изнашиваться. Электроны копят отрицательный заряд, застревают, приходится подавать более высокое напряжение, слой оксида уменьшается еще сильнее.

Именно поэтому сейчас на смену планарной флэш-памяти NAND приходит 3D NAND. Здесь нет необходимости подавать высокое напряжение при записи данных, а, следовательно, износ ячеек становится гораздо меньше. 3D NAND представляет собой цилиндр, верхний слой которого становится управляющим затвором, а внутренний — изолятором. Ячейки располагаются друг под другом, управляющая логика — под массивом памяти. Площадь чипа освобождается для новых ячеек памяти.

Сейчас 3D NAND активно развивает Samsung (у нее эта технология называется 3D V-NAND), и еще в прошлом году ходили слухи, что Apple планирует оснастить свои компьютеры 2016 года новейшей флэш-памятью. А если все пройдет гладко, то и в iPhone с iPad мы с вами ее увидим. Износ уменьшится, и пользоваться своими любимыми устройствами без обновления мы сможем еще дольше.

Источник

Не работает NAND flash память в iPhone

Замена NAND iPhone бывает необходима в нескольких случаях. Кто-то желает просто увеличить запас памяти аппарата, а другие прибегают к услуге вынужденно. Что же это может быть? Ремонт требуется при повреждении NAND, и при этом проблема решается двумя основными способами:

1. Менее дорогостоящий ремонт флеш памяти.
2. Относительно дорогостоящая замена материнской платы.

Починка НАНД без замены материнской платы позволяет сэкономить денежные средства. Кроме того, пользователь может попросить специалиста об установке более объемного flash накопителя. И еще в некоторых случаях появляется рабочая ситуация, когда нужной разновидности материнской платы просто не оказывается в наличии, тогда как проблем с микросхемами памяти подобного рода не возникает никогда. Появляется другой вопрос: насколько окажется эффективной такая починка? В нашем сервисном центре квалифицированные мастера выполняют замену уже не один год, так что работа осуществляется на самом высоком профессиональном уровне, причем на любые услуги дается гарантия.

Что говорит о неисправности NAND

Неисправность у iPhone NAND памяти проявляется определенными признаками, которые достаточно быстро устанавливаются вне зависимости от предшествующих возникновению с памятью смартфона проблем. Если пользователь обнаружил любой из ниже перечисленных симптомов, значит, пришло время обратиться в специализированную мастерскую для более детального уточнения причин неисправности и квалифицированного ремонта.

Итак, flash бывает неисправна, когда:

• аппарат не включается и перезагружается самопроизвольно;
• происходит перезагрузка в постоянном режиме с интервалами в 3-5 минут;
• при включении устройство зависает на «яблочке»;
• ошибка 4013 при попытке восстановить в iTunes iOS.
• Надо заметить, что данная симптоматика нередко появляется после удара или падения устройства.

Нечто похожее случается и при попытке выполнить Jailbreak или обновить iOS. Таким образом, до осмотра мастером вряд ли стоит делать преждевременные выводы о возможных неисправностях и предпринимать попытки самостоятельного ремонта. Самый оптимальный вариант – обратиться в ЭтоСервис, где быстро и качественно проведут диагностику и предложат конкретные ремонтные процедуры.

Замена на Айфоне NAND flash

Замена представляет сложный и продолжительный по времени процесс, который осуществляется опытным специалистом с использованием специализированного оборудования. Ремонт состоит в следующих основных этапах:

1. Диагностика – инженер должен точно остановить, что неисправность именно в NAND памяти. Здесь учитываются ошибки 9, 40, 4013, 4014 и ряд других.
2. Поиск внутренних механических повреждений устройства и признаков попадания влаги. Затем делается предварительная чистка либо ремонт.
3. Извлечение и диагностика NAND памяти – выпаивается чип памяти с дальнейшим подключением к программатору. Определенным софтом происходит его чтение и проверка на возможные дефекты BAD секторов. Считываются с микросхемы такие данные, как SN, MAC WiFi, Board Id, MAC BT.
4. На новый флеш накопитель записываются данные с поврежденного чипа.
5. Диагностика чипа памяти – он монтируется к материнской плате, а затем производится прошивка Айфона с последующим тестированием. При корректной работе устройство успешно активируется.
6. Полная сборка и тестирование – проводится повторная перепрошивка, после которой собранный аппарат тестируется.

В сервисном центре ЭтоСервис клиенты могут воспользоваться профессиональной услугой замены NAND памяти на следующих устройствах: iPhone 5s и 5, iPhone 6s и 6, 6s Plus и 6 Plus, iPhone 7 Plus и 7. При этом следует отметить, что в работе применяются исключительно оригинальные запасные части, и сервисный центр предоставляет гарантию. Чтобы убедиться в приемлемых расценках и качестве предоставляемых услуг, стоит побывать на бесплатной диагностике своего устройства.

Вы можете воспользоваться услугами нашего сервисного центра в городе Кирове по адресу: Октябрьский проспект, 70. Тел: +7 (8332) 772-987.

Источник

Низкоуровневая программно-техническая экспертиза iOS

В данном посте мы опишем, как получить образ NAND и использовать FTL-метаданные для восстановления удаленных файлов на устройствах, использующих процессор A4.

Механизмы шифрования и защиты данных файловой системы iOS теперь хорошо документированы и поддерживаются многими утилитами ПТЭ (программно-технической экспертизы или forensics). В качестве основной области хранения данных iOS-устройства используют NAND flash-память, но создание физических образов обычно имеет отношение к «dd image» логических разделов. Уровень трансляции Flash в iOS для текущих устройств имеет программную основу (реализован в iBoot и ядре), что означает, что CPU имеет прямой доступ к сырой NAND-памяти. В данном посте мы опишем, как получить образ NAND и использовать FTL-метаданные для восстановления удаленных файлов на устройствах, использующих процессор A4. Информация, представленная здесь, основана на серьезной работе по реверс-инжинирингу, выполненной командой iDroid/openiBoot.

Чтение NAND-памяти

iOS-устройства используют один или несколько идентичных чипов, адресуемых номером CE («chip enable»). Фактические параметры геометрии (число CE, число блоков на CE, число страниц на блок, размер страниц и резервной области) зависят от модели устройства и общей емкости хранилища. Физический адрес составляется из CE-номера чипа и физического номера страницы (PPN) на этом чипе.

Из-за ограничений NAND в операционных системах распространены механизмы трансляции (FTL), которые позволяют использовать NAND-память как обычное блочное устройство, оптимизируя при этом ее производительность и срок службы. Главная цель FTL заключается в уменьшении операций стирания и распределения их по всем блокам. С точки зрения ПТЭ, интересным побочным эффектом здесь является то, что при перезаписи логического блока на уровне блочного устройства старые данные на физическом уровне обычно не стираются сразу. Поэтому при поиске удаленных данных работа с сырым образом NAND может быть очень полезна.

Можно прочитать сырые данные NAND с помощью openiBoot, но передача данных по USB на данный момент довольно медленна, что делает этот способ непрактичным для выгрузки содержимого всей Flash-памяти.

Начиная с iOS 3 на ram-дисках Apple iOS можно найти программу ioflashstoragetool. Данная утилита может производить множество низкоуровневых операций, касающихся flash-хранилища и может читать сырые NAND-страницы и резервные области (не производя никакого рода дешифрования). Данная функциональность предоставлялась сервисом ядра IOFlashControllerUserClient.

В iOS 5 большая часть функций, предоставлявшихся данным интерфейсом IOKit, была убрана. Чтобы создать дамп посредством этого интерфейса, мы можем загрузить ram-диск с помощью более старой, четвертой версии ядра iOS. Это отлично работает, однако в таком случае мы потеряем способность использовать имеющийся код ядра для атаки перебором более новых связок ключей iOS 5. Чтобы выгрузить NAND под пятой версией ядра iOS, мы заново реализовали часть функции IOFlashControllerUserClient::externalMethod, ответственной за функциональность чтения. Когда наш инструмент выгрузки запускается под пятой версией ядра iOS, он замещает данную функцию той, что обрабатывает селектор kIOFlashControllerReadPage.

Кроме того, мы можем установить флаг загрузки nand-disable-driver, чтобы предотвратить высокоуровневый доступ к NAND и гарантировать, что ее содержимое не изменится в ходе получения.

Уровень преобразования Flash в iOS

Virtual Flash Layer (VFL) ответственен за переназначение bad-блоков и представление NAND, не содержащее ошибок, для FTL-слоя. VFL-слой знает физическую геометрию и транслирует виртуальные номера страниц, используемые FTL, в физические адреса (номер CE + номер физической страницы).

Слой FTL оперирует над VFL и предоставляет операционной системе интерфейс блочного устройства. Он транслирует номера логических страниц блочного устройства (LPN) в виртуальные номера страниц, занимается wear leveling и сборкой мусора в для блоков, содержащих устаревшие данные. На устройствах, поддерживающих аппаратное шифрование, все страницы, содержащие структуры данных, связанные с VFL и FTL, зашифрованы статическим ключом метаданных.

В различных версиях iOS использовались следующие варианты подсистем FTL:

• iOS 1.x и 2.x : «legacy» FTL/VFL
• iOS >= 3 : YaFTL / VSVFL
• Начиная с iOS 4.1, некоторые из новых устройств оснащены PPN (Perfect Page New) NAND, которая использует особый PPNFTL.

PPN-устройства имеют свой собственный контроллер с прошивкой, которая может быть изменена через интерфейс IOFlashControllerUserClient, но большая часть работы FTL похоже все еще выполняется программно – с помощью YaFTL поверх нового PPNVFL.

На основании кода openiBoot мы написали минимальную read-only реализацию YaFTL/VSVFL на Питоне, чтобы получить возможность просматривать образы NAND как блочные устройства. В сочетании с реализацией HFS+ на Питоне она позволяет извлечение логических разделов для получения эквивалента dd-image. Далее нам нужно понять механизмы YaFTL, чтобы воспользоваться дополнительными данными, доступными в образе NAND.

YaFTL

Следующий рисунок обобщает процесс преобразования YaFTL:

В ходе нормальной работы в каждый момент лишь один суперблок каждого типа является «открытым»: страницы записываются последовательно в манере log-block. Когда текущий суперблок заполнен, YaFTL находит пустой суперблок для продолжения процесса. старевшие пользовательские данные стираются только в процессе работы сборщика мусора.

Последние страницы индексного и пользовательского суперблоков используются для хранения BTOC (таблица содержимого блока). Для пользовательских блоков BTOC перечисляет логические номера страниц, хранимые в этих блоках. В индексном блоке BTOC хранит первые логические номера страниц, на которые указывает каждая из индексных страниц.

Восстановление FTL производится при загрузке, если FTL не был должным образом отмонтирован (после kernel panic или жесткой перезагрузки, например) и контекстная информация не была зафиксирована на flash-носителе. Функции восстановления FTL приходится исследовать все блоки (используя BTOC для ускорения процесса), чтобы восстановить корректный контекст.

Метаданные резервной области

Поле lpn позволяет FTL-коду проверять корректность преобразования при чтении страницы. Оно также используется в ходе процесса восстановления FTL, чтобы обнаруживать страницы в «открытых» суперблоках, которые не имеют BTOC.

В поле usn записывается глобальный порядковый номер обновления во время записи страницы. Этот номер увеличивается каждый раз при фиксации новой версии контекста FTL или когда суперблок заполнен и происходит открытие нового суперблока. Данное поле позволяет легко сортировать суперблоки по возрасту.

«Отбеливание» метаданных

Признак того, что отбеливание метаданных включено, находится в поле флагов специальной страницы NANDDRIVERSIGN.

Восстановление удаленных файлов

Когда таблица поиска построена, мы можем легко обратиться ко всем доступным версиям заданной логической страницы. Чтобы восстановить удаленные данные на разделе мы реализовали простой алгоритм, похожий на метод вырезания данных из журнала HFS:

• Перечислить все идентификаторы файла на разделе данных в его текущем состоянии: мы используем обычную трансляцию FTL и EMF-ключ для расшифровки данных.
• Получить местоположение текущего файла каталога и файла аттрибутов (диапазоны LBA)
• Для каждого LBA, принадлежащего файлу каталога
  • Для каждой версии текущего LBA
    • Считать страницу для данной версии, расшифровать ее с помощью EMF-ключа
    • найти в странице записи файла каталога, файловые идентификаторы которых не присутствуют в текущем списке файловых идентификаторов (удаленные файлы)
• Повторить тот же процесс с файлом атрибутов для нахождения ключей шифрования для ранее обнаруженных удаленных файлов (расширенные атрибуты cprotect)
• для каждого найденного удаленного файла
  • Пробежать в цикле все возможные ключи шифрования и версии первого логического блока, пока расшифрованное содержимое не совпадет с магическим числом (обычная магия файловых заголовков). См. функцию isDecryptedCorrectly (которую можно улучшить).
  • если найдены ключ шифрования и USN первого блока, считать следующие блоки файлов, используя данный USN как ссылку. Другой метод – начать считывать страницы, начиная с первого найденного блока файлов, следуя «порядку записи» FTL: читать до конца суперблока, затем продолжить в следующем с более высоким значением USN, и так, пока не будут найдены все блоки файла.

Данный наивный алгоритм дает хорошие результаты на «статичных» файлах вроде изображений, где весь файл записывается один раз и более не обновляется. Для файлов вроде баз данных SQLite понадобится больше логики, чтобы восстановить состоятельные снимки последовательных версий. Для этого можно, например, обнаруживать акты записи в заголовок файла или отслеживать модификации в записях файла каталога (дата модификации файла).

Один из файлов, который было бы интересно восстановить – системное хранилище ключей. Если атакующий смог получить доступ к первой версии системного хранилища ключей (без установленного пароля, сразу после восстановления прошивки), он мог бы затем получить доступ ко всем ключам классов без необходимости в атаке пароля пользователя. Однако, эксплуатировать более старые версии хранилища ключей невозможно из-за второго слоя шифрования: полезная нагрузка systembag.kb шифруется ключом BAG1, который хранится в уничтожаемой области и принимает случайное значение каждый раз, когда на диск записывается новая версия файла (когда пользователь меняет свой пароль). Данный механизм, очевидно, был разработан для предотвращения подобных атак, как объяснено в выступлении «Securing application data» с Apple WWDC 2010 (Сессия 209).

Уязвимость стирания в iOS 3.x

Инструменты получения содержимого NAND и вырезания данных теперь доступны в репозитории iphone-dataprotection. Дополнительные подробности также доступны на вики. Наконец, большое спасибо Патрику Вилдту и команде openiBoot за их работу над iOS FTL, которая позволила нам создать эти инструменты.

Источник